納米級超薄硒化銦：或是半導體的未來(lái)

   納米級超薄硒化銦是一種具有*性能的類(lèi)石墨烯新半導體材料，其厚度從一層（~0.83 nm）到幾十層不等。這種新半導體材料的電學(xué)和光學(xué)性能研究是在2010年物理學(xué)諾貝爾獎得主—英國曼徹斯特大學(xué)教授安德烈·海姆的實(shí)驗室進(jìn)行的。近日烏克蘭和英國科學(xué)家在《Nature Nanotechnology》雜志上發(fā)表聯(lián)合文章《高電子遷移率、量子霍爾效應和納米級超薄硒化銦中的異常光學(xué)響應》，認為硒化銦的實(shí)際應用有可能導致納米電子學(xué)的革命。
    石墨烯是由一層碳原子組成，與石墨烯不同，硒化銦是銦原子（In）和硒原子（Se）的二元化合物，厚度為四個(gè)原子，原子排列順序為Se-In-In-Se。
    該種半導體材料的納米膜是從與石墨烯結構相類(lèi)似的硒化銦層狀晶體大量錠中得到。2013年科學(xué)家們從硒化銦層狀晶體中剝離原子薄膜，2016年研究出這種材料厚度從1個(gè)納米到幾個(gè)納米的光學(xué)和電學(xué)性能。通過(guò)烏克蘭和英國科學(xué)家的聯(lián)合研究，硒化銦層狀晶體成功剝離至單層狀態(tài)。有趣的是，正如2004年獲得石墨烯一樣，剝離硒化銦的其余層也是使用的普通膠帶。
    科學(xué)家們發(fā)現，這種材料的超薄納米層具有定性區別于其它類(lèi)石墨烯二維（2D）晶體的*性能。因此，獲得的硒化銦樣品中，電子的遷移率（即速度）很高，尤其是與二硫化鉬和二硒化鉬相比，這個(gè)參數值很高。這一重要特性使得其在提高設備性能方面顯得尤為重要。
    烏克蘭國家科學(xué)院物理和數學(xué)研究所切爾諾夫分院的研究團隊是烏克蘭為數不多的系統從事類(lèi)石墨烯二維（2D）晶體研究的團隊，他們還積極開(kāi)展新功能混合范德華納米異質(zhì)結構研究，特別是與其它所有已知的類(lèi)石墨烯2D晶體相比，納米異質(zhì)結構石墨烯/多層硒化銦光敏性記錄值特點(diǎn)明顯（可達10/W，當 λ = 633 nm時(shí)）。
    全國納米技術(shù)標準化技術(shù)委員會(huì )低維納米結構與性能工作組的專(zhuān)家介紹，硒化銦是一種Ⅲ-Ⅵ族化合物，具有不同的化學(xué)組成，其中研究zui多的是InSe和In2Se3。In2Se3是一種N型半導體化合物，可以應用于光電轉化、光催化、電子器件等領(lǐng)域。
    據低維材料在線(xiàn)91cailiao.cn的技術(shù)工程師Ronnie介紹，他們提供的硒化銦在室溫下的電子遷移率達到2,000 cm2/Vs，遠遠超過(guò)了硅。在更低溫度下，這項指標還會(huì )成倍増長(cháng)。超薄的硒化銦，是處于硅和石墨烯之間的理想材料。在類(lèi)似于石墨烯的低維材料里，硒化銦具有天然超薄的形態(tài)，使真正納米級的工藝成為可能。又和硅類(lèi)似，硒化銦是的半導體。