CIS（Se）, CIGS（Se）, CZTS（Se）量子點(diǎn)

銅銦硫（硒），銅銦鎵硫（硒），銅鋅錫硫（硒）多元半導化合物對可見(jiàn)光的吸收系數和光電轉換效率高，抗輻射能力強，吸收層材料禁帶寬度可調，性能穩定，無(wú)毒等優(yōu)點(diǎn)，是制作薄膜太陽(yáng)電池的優(yōu)良材料。傳統方法－真空濺射沉積再進(jìn)行硫化或硒化反應形成薄膜太陽(yáng)能電池， 在制備過(guò)程中很難控制各個(gè)元素的蒸發(fā)速率和保持襯底溫度的穩定，而且由于采用了真空的工藝環(huán)節，導致工藝復雜，總成本很高。通過(guò)對量子點(diǎn)燒結形成半導體薄是一種新興的薄膜太陽(yáng)能電池的制備技術(shù)，可以極大簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，降低成本制，因此具有非常廣泛的應用前景。

我們可根據客戶(hù)需求，提供不同質(zhì)量的CIS(Se), CIGS(Se), CZTS(Se)量子點(diǎn)。

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發(fā)射峰 & 吸收峰

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