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簡(jiǎn)要描述：晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導體晶體結構：斜方晶系晶胞參數：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9晶體類(lèi)型：合成晶體純度：＞99.995%表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量
產(chǎn)品型號： 廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家更新時(shí)間：2024-06-03訪(fǎng) 問(wèn) 量：1823相關(guān)文章
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晶體尺寸：10毫米
電學(xué)性能：半導體
晶體結構：斜方晶系
晶胞參數：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9
晶體類(lèi)型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量
晶體尺寸：10毫米
電學(xué)性能：半導體
晶體結構：斜方晶系
晶胞參數：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9
晶體類(lèi)型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量
XRD of a single crystal Bi2S3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.
EDX of a single crystal Bi2S3.
Raman of a single crystal Bi2S3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.
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