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當前位置：首頁(yè)   >  產(chǎn)品中心  >  碳材料  >  石墨烯粉體  >  ACSMaterial單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口）

單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口）

簡(jiǎn)要描述：單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide （H Method）
制備方法：改良的H法
直徑：1~5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
堆積密度：0.44g/cm3
體積密度：為0.26g/cm3

  • 產(chǎn)品型號：ACSMaterial
  • 廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間：2024-06-03
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量：1088

詳細介紹

單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制備方法：改良的H法
直徑：1~5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
堆積密度：0.44g/cm3
體積密度：為0.26g/cm3

單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide (H Method)
制備方法：改良的H法
直徑：1~5um
厚度：0.8~1.2nm
單層比：99%
純度：99%
堆積密度：0.44g/cm3
體積密度：為0.26g/cm3

 

 

TEM of Graphene Oxide

 

*The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound

 

 

TEM of Graphene Oxide

 

*The TEM analysis was completed through dispersing ACS-Material Graphene Oxide into water or ethanol with the help of ultrasound

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