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簡(jiǎn)要描述：二硒化釩晶體 VSe2 （Vanadium Diselenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：金屬，電荷密度波（CDW）晶體結構：六邊形晶胞參數：a = b = 0.336 nm, c = 0.609 nm, α = β = 90°, γ =120°晶體類(lèi)型：合成晶體純度：＞99.995%
產(chǎn)品型號： 廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家更新時(shí)間：2024-06-03訪(fǎng) 問(wèn) 量：1450相關(guān)文章
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二硒化釩晶體 VSe2 (Vanadium Diselenide)
晶體尺寸：~8毫米
電學(xué)性能：金屬，電荷密度波（CDW）
晶體結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.336 nm, c = 0.609 nm, α = β = 90°, γ =120°
晶體類(lèi)型：合成
晶體純度：＞99.995%
X-ray diffraction on a Vanadium Diselenide single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4
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Raman spectrum of a single crystal VSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.
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