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簡(jiǎn)要描述：晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電材料晶體結構：?jiǎn)涡本ЫY構晶胞參數：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40晶體類(lèi)型：合成晶體純度：＞99.995%表征方法：XRD、拉曼、EDX
產(chǎn)品型號： 廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家更新時(shí)間：2024-06-04訪(fǎng) 問(wèn) 量：1219相關(guān)文章
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晶體尺寸：10毫米
電學(xué)性能：半導體，拓撲絕緣體，熱電材料
晶體結構：?jiǎn)涡本ЫY構
晶胞參數：a = 1.430nm，B = 0.403nm，C = 0.986nm，α=γ= 90°，β= 95.40
晶體類(lèi)型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD、拉曼、EDX
Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal As2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.
Stoichiometric analysis of a single crystal As2Te3 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).
Raman spectrum of a single crystal As2Te3. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.
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