IC半導體級 SIO2

低維材料在線(xiàn)商城可為客戶(hù)訂制不同參數的二氧化硅氧化片，質(zhì)量?jì)?yōu)良；氧化層厚度、致密性、均勻性和電阻率晶向等參數均按照國標執行。
熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下，給過(guò)程稱(chēng)為熱氧化。通常生長(cháng)熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度，使用濕法或者干法的生長(cháng)方法。熱氧化物是一種生長(cháng)的氧化物層。相對于CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強度。這是一個(gè)*的作為絕緣體的介電層。大多數硅為基礎的設備中，熱氧化層都扮演著(zhù)非常重要的角色，以安撫硅片表面。作為摻雜障礙和表面電介質(zhì)。
應用范圍：
1，刻蝕率測定
2，金屬打線(xiàn)測試
3，金屬晶圓
4，電性絕緣層

產(chǎn)品名稱(chēng)：4英寸二氧化硅拋光硅片 （SiO2）
生長(cháng)方式：直拉單晶（CZ）  熱氧化工藝
直徑與公差：100±0.4mm
摻雜類(lèi)型：N型(摻磷、砷、銻) P型（摻硼）
晶向：<111><100>
電阻率：0.001-50(Ω•cm) 可按客戶(hù)要求定制
工藝數據：平整度TIR:<3μm 、 翹曲度TTV: <10μm 、彎曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、顆粒度< 10 (for size > 0.3μm)
現有規格：50nm 100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm
用途介紹：用于工藝等同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長(cháng)樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長(cháng)的基底、X射線(xiàn)分析晶體半導體
 

注：本商城提供多系列多規格的硅片，標價(jià)僅為一種規格，如需多種規格請與客服。