等離子體改性及刻蝕機理是怎樣的？

　　等離子體改性及刻蝕結合了電感耦合和電容耦合輝光放電的優(yōu)點(diǎn)，可在寬密度工藝范圍（109-1013cm-3)實(shí)現穩定的等離子體輔助CVD，具有優(yōu)良的材料處理性能和廣泛的應用范圍，是目前功能強大的等離子體CVD系統。

　　

　　原創(chuàng )性高密度低頻平板式電感耦合等離子體系統。頻率可調節，從低頻0.5-4MHz范圍內調節；電感天線(xiàn)是平板式，可根據客戶(hù)要求改變天線(xiàn)的形狀、大小，從而實(shí)現兩種不同的放電模式：電感放電和電容放電，兩種模式下都能實(shí)現穩定放電，兩種模式的等離子體特性截然不同，可以實(shí)現不同的功能。
 

　　

　　等離子體改性及刻蝕機理的解釋適用于所有類(lèi)型的等離子體技術(shù)，不局限于RIE。通常，等離子體刻蝕是化學(xué)刻蝕，不是物理刻蝕，這意味著(zhù)固體原子與氣體原子反應形成化學(xué)分子，然后從基片表面移除形成刻蝕。因為VDC的存在，通常存在一定的基片濺射，對于大量的刻蝕，物理刻蝕效應很弱可以被忽略。

　　

　　幾個(gè)主要的刻蝕過(guò)程為：

　　

　　1、形成反應粒子；

　　

　　2、反應粒子到達Wafer表面并被吸附

　　

　　3、Wafer表面化學(xué)吸附反應，形成化學(xué)鍵，并形成反應產(chǎn)物；

　　

　　4、解吸附化學(xué)反應產(chǎn)物，并在Wafer表面移除，抽離腔室。

　　

　　等離子體改性及刻蝕速率，因為電子密度和能量與VDC相關(guān)聯(lián)，故以上的化學(xué)反應過(guò)程與速率相對應；離子轟擊可以造成Wafer表面的建設損傷；而離子轟擊的能量與VDC相關(guān),VDC越高轟擊越強；離子轟擊還會(huì )對刻蝕形貌有一定的影響等等對于非易揮發(fā)性副產(chǎn)物，通過(guò)一定的離子轟擊可以將副產(chǎn)物解離形成易揮發(fā)性產(chǎn)物，使本身在易在Wafer表面已形成的膜層消失。