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Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS?） comes in bulk.
晶體尺寸：10毫米 電學(xué)性能：半導體 晶體結構：斜方晶系 晶胞參數：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9 晶體類(lèi)型：合成 晶體純度：＞99.995% 表征方法：XRD，拉曼，EDX，霍爾測量
二硫化鈮晶體 2H-NbS2（Niobium Disulfide） 晶體尺寸：2毫米 電學(xué)性能：金屬，superconductor （Tc~6K）, charge density waves （CDW） system. 晶體結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶體類(lèi)型：合成 晶體純度：＞99.995%
三硫化鈮晶體（99.995%） NbS3 晶體類(lèi)型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
三硫化鐵（磷摻雜）晶體（99.995%） FePS3 晶體類(lèi)型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
三硫化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPS3 晶體類(lèi)型：合成 晶體純度：＞99.995% 低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料： FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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