工業(yè)級石墨烯 Industrial-Quality Graphene 制備方法：熱剝離還原 厚度（nm）：≤3 BET比表面積（平方米/克）：~ 600 電阻率（Ω?cm）：0.30

羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 羧基比例：5% 純度：99%

單層氧化石墨烯（H法/進(jìn)口） Single Layer Graphene Oxide （H Method） 制備方法：改良的H法 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 單層比：99% 純度：99% 堆積密度：0.44g/cm3 體積密度：為0.26g/cm3

氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method） 制備方法：斯托登梅爾方法 外觀(guān)為灰綠色粉末 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面積（SSA）5-10平方米/克 單層比：＞90% 氧含量:~35 wt%

氧化石墨烯（S法/進(jìn)口） Graphene Oxide （S Method） 制備方法：斯托登梅爾方法 外觀(guān)為灰綠色粉末 直徑：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面積（SSA）5-10平方米/克

Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D facilities using modified reaction Hummer technique.