產(chǎn)品名稱(chēng)：4英寸二氧化硅拋光硅片 （SiO2） 生長(cháng)方式：直拉單晶（CZ） 熱氧化工藝 直徑與公差：100±0.4mm 摻雜類(lèi)型：N型（摻磷、砷、銻） P型（摻硼） 晶向：111\\100 電阻率：0.001-50（Ω?cm） 可按客戶(hù)要求定制

本產(chǎn)品為表面鍍有石墨烯薄膜的單晶銅線(xiàn)，石墨烯*的性質(zhì)可以增強銅線(xiàn)本身的導電性，支持定制。

An ideal substrate – template for two-dimensional （2D） materials to eliminate ripple, surface roughness, and doping （charge transfer） effects.

A member of layered mica family but the exact chemical formula has been adjusted in such a way that resulting materials are K, Mg, and Fe