多功能寬密度等離子體

巨納集團NextCVD系列多功能寬密度等離子體CVD（ICP-LP-PE-CVD）結合了電感耦合和電容耦合輝光放電的優(yōu)點(diǎn)，可在寬密度工藝范圍（109-1013 cm-3)實(shí)現穩定的等離子體輔助CVD，具有優(yōu)良的材料處理性能和廣泛的應用范圍，是目前功能強大的等離子體CVD系統。

NextCVD 的原創(chuàng )性高密度低頻平板式電感耦合等離子體系統。頻率可調節，從低頻0.5- 4MHz范圍內調節；電感天線(xiàn)是平板式，可根據客戶(hù)要求改變天線(xiàn)的形狀、大小，從而實(shí)現兩種不同的放電模式：電感放電和電容放電，兩種模式下都能實(shí)現穩定放電，兩種模式的等離子體特性截然不同，可以實(shí)現不同的功能。

多功能寬密度等離子體等離子體改性及刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)

基片臺可電動(dòng)旋轉、可加熱、可升降

配裝手動(dòng)高真空插板閥、手動(dòng)角閥、電腦復合真空計

由于采用了超高真空密封技術(shù)，極限真空度高，沉積室可進(jìn)入10-5Pa量級，可保證更高的鍍膜純凈度，提高鍍膜質(zhì)量

自動(dòng)監控和保護功能，包括缺水欠壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護、真空系統檢測與保護等

配備可開(kāi)關(guān)觀(guān)察窗，方便觀(guān)察及取樣品

設備真空系統采用分子泵+機械泵真空機組

采用磁力耦合傳動(dòng)密封技術(shù)密封運動(dòng)部件

真空規用金屬規，刀口金屬密封

性能技術(shù)參數

設備極限真空度：5.0×10-5Pa（等離子體沉積腔室）。5.0×10-1Pa進(jìn)樣室

高密度等離子體：電子密度高能達到1013 cm-3

氣體物離化率：1-10%

電感耦合離子體電源發(fā)生器頻率從0.5-4 MHz可調，功率可從0-5000 W調節

電感天線(xiàn)有橢圓和圓形兩種，相應等離子源石英窗口形狀也有橢圓和圓形兩種，相應等離子體放電模式也有電感和電容模式兩種，可根據用途選擇。等離子體源石英窗口大小可根據要求進(jìn)行調節

供電：～380V三相供電系統（容量7KW），冷卻水循環(huán)量1M3/H，工作環(huán)境溫度10℃～35℃，冷卻水溫度18℃～25℃

設備占用面積12M2（設備安裝面積4M×3M）

進(jìn)樣室上方窗口（玻璃橡膠圈密封）：￠20cm

沉積室抽氣口在底部，樣品架的兩邊抽氣，有利于薄膜的均勻沉積

設備總體漏放率：關(guān)機12小時(shí)后，真空度≤10Pa

從大氣到抽到≤7×10-4Pa，小于45min(新設備充干燥氮氣)，提高了工作效率

樣品臺可旋轉，速度：0～25轉／分 可控可調。（樣品臺尺寸￠200mm）

基片尺寸￠6英寸（根據用戶(hù)需要可變）

樣品臺加熱器溫度：室溫～500±1℃。溫度可控可調

基片最大升降距離0～100mm可調

配備2支￠3英寸磁控靶，其中一支可鍍鐵磁材料，磁控靶可伸縮

磁控濺射靶電源：射頻源 500W、13.56MHz；直流濺射電源，500W

缺水欠壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護、真空系統檢測與保護

應用領(lǐng)域：

光伏行業(yè)（氮化硅/非晶硅/微晶硅/等離子體織構與刻蝕）

新型二維材料（石墨烯/二硫化鉬等的表面改性及制備）

半導體工藝（刻蝕工藝/氮化硅與二氧化硅工藝等）

納米材料的生長(cháng)與納米形貌的刻蝕構造

石墨烯氫等離子體可控改性

氬等離子體可控改性：引入空位缺陷

氫等離子體可控改性：引入SP3缺陷